F01300 - SEMI F13 - Guide for Gas Source Control Equipment Revision:SEMI F13-1101 - Inactive 本スタンダードは，global Information and Control Committeeで技術的に承認されている。現版は2009年1月2日，global

本スタンダードは，global Information and Control Committeeで技術的に承認されている。現版は2009年1月2日，global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2009年2月にwww

本スタンダードでは，半導体製造装置においてSEMIが指定するデバイスモデル（共通およびデバイス固有）に従って動作するセンサ／アクチュエータネットワーク（SAN）上のインテリジェントなデバイス間の通信を可能にするためのEtherNet/IP （Ethernet/Industrial Protocol）ネットワークに基づいた通信仕様を定義する。

In the case when epitaxial layers are used in fabrication of SOI wafers

本文書の範囲は半導体産業で使用される4

and thickness of the gold plating shall be specified per MIL-G-45204 unless otherwise agreed between vendor and customer

F01300 - SEMI F13 - Guide for Gas Source Control Equipment Revision:SEMI F13-1101 - Inactive 本スタンダードは，global Information and Control Committeeで技術的に承認されている。現版は2009年1月2日，globalThis guide was technically approved by the global Facilities Committee and is the direct responsibility of the North American Facilities Committee. Current edition approved by the North American Regional Standards Committee on August 27, 2001. Initially available at www. semi. org September 2001; to be published November 2001. Originally published in 1993. The purpose of this document is to provide a guide for the design and operational requirements