G06100 - SEMI G61 - Specification for Cofired Ceramic Packages Revision:Default Title

G06100 - SEMI G61 - Specification for Cofired Ceramic Packages Revision:Default TitleThis specification defines the materials and acceptance criteria for high temperature, cofired ceramic packages. Referenced SEMI Standards SEMI G6 Seal Ring Flatness SEMI G8 Gold Plating Temperature Resistance SEMI G23 Measuring the Inductance of Package Leads SEMI G24 Measuring the Lead to Lead and Loading Capacitance of Package Leads SEMI G25 Measuring the Resistance of Package

SEMI E173-0415E (editorial revision)

SEMI M41-0615 (technical revision)

この文書では，SEMI E78，SEMI E129，SEMI E43とその他の静電気パラメータの測定方法を参照している。これらの文書は，広範囲の条件下での静電気リスクの異なった側面を管理するためのガイダンスを提供する補足的なものである。

この文書の目的は，半導体製造装置と施設での静電荷と電界によって引き起こされる生産性に対する悪影響を最小最小限にすることである。静電荷，電圧および電界に対し超静電気敏感性（EES）を有するレチクルとその他のアイテムのために取り扱い環境での最適な静電気両立性を確立するためのガイドである。このガイドはSEMI E78 およびSEMI E129 を補足して，静電気により最も損傷を受けやすいアイテムの保護方法を改善することを意図している。

This Guide describes silicon wafers with nominal diameter of 300 mm although

The first procedure straightforwardly evaluates the grain sizes

You must understand the hazards and what controls are in place to protect you

SEMI P5-0416 (technical revision)

This Standard extends to the region of ultra-thin thickness from 3 point bending measurement method SEMI G86-0303 which describes the Die Strength Evaluation Method

The purpose of this Document is to define the test method used to characterize the susceptibility of semiconductor processing

This Test Method can be used for silicon in which the oxygen content is greater than the SIMS instrumental oxygen background as measured in a float zone silicon sample

maintenance technicians and engineers