M07600 - SEMI M76 - 開発用直径450 mmシリコン単結晶鏡面ウェーハの仕様 Revision:SEMI M76-0710 - Inactive 本スタンダードの範囲はユーザが要求できる装置情報サービスを定義することである。要求されているサービスを明確にするため，基板の概念および挙動，基板ロケーション，バッチとバッチのロケーションが定義されている。

本スタンダードの範囲はユーザが要求できる装置情報サービスを定義することである。要求されているサービスを明確にするため，基板の概念および挙動，基板ロケーション，バッチとバッチのロケーションが定義されている。

org September 1998

Note: This Standard has been purposely restricted to 100 mm (4 in

SEMI C21-0600 (technical revision)

SEMI S2-0724 (technical revision)

M07600 - SEMI M76 - 開発用直径450 mmシリコン単結晶鏡面ウェーハの仕様 Revision:SEMI M76-0710 - Inactive 本スタンダードの範囲はユーザが要求できる装置情報サービスを定義することである。要求されているサービスを明確にするため，基板の概念および挙動，基板ロケーション，バッチとバッチのロケーションが定義されている。NOTICE: This translation is a REFERENCE COPY ONLY. If differences should exist between the English version and a translation in any other language, the English version is the official and authoritative version. SEMI SEMI global Silicon Wafer Committee2010430global Audits and Reviews Subcommittee20106www. semi. org 450 mmIC450 mm 450 mm 450 mmAMHS450 mm450 mmSEMI M74 SI (System International Referenced SEMI Standards SEMI E45 Test Method for the