E05410 - SEMI E54.10 - in-situパーティクルモニターデバイスのためのセンサ/アクチュエータネットワーク特定デバイスモデルの仕様 StdTpc-Cluster Tools Various organic compounds on wafer

Various organic compounds on wafer surfaces can cause a pseudo increase of the thickness of the native oxide film

Specification and Guide for Boron Trichloride (BCI3)

and are available in tabulated form for other cases

orgで入手可能となる。初版は2001年3月発行，前版は2001年11月発行。

CMOS集積回路の継続的な縮小により，ムーアの法則による予測や，国際半導体技術ロードマップ（International Technology Roadmap for Semiconductors）の予測を達成するためには，新規材料やリソグラフィ技術の革新が必要な所まできている。ゲート絶縁膜膜厚が1nmに近づくに伴い，一般的に使われてきたゲート絶縁膜とゲート電極の材料（SiO2　とドープされたポリシリコン）の特性では，今後のノードに対応できない。従来のCMOSに使われているn+ や p+　ポリシリコンゲート電極に替わる材料を探すため，代替材料候補の有効仕事関数を実験により算出することが新たに注目を集めている。

E05410 - SEMI E54.10 - in-situパーティクルモニターデバイスのためのセンサ/アクチュエータネットワーク特定デバイスモデルの仕様 StdTpc-Cluster Tools Various organic compounds on waferglobal Information & Control Technical Committee2011912global Audits and Reviews Subcommittee201111www. semiviews. org www. semi. org20005200611 SEMI E54 : SEMI In Situ Referenced SEMI Standards SEMI E39 Object Services Standard: Concepts, Behavior, and Services SEMI E54 Sensor Actuator Network Standard SEMI E54. 1 Standard for Sensor Actuator Network Common Device Model